[7p-A402-7~23] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [7p-A402-14] 大気圧プラズマCVDによるSiO_xゲート絶縁膜の形成プロセスの開発

〇木元 雄一朗¹、寺脇 功士¹、山崎 啓史¹、前川 健史¹、大参 宏昌¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、プラズマ化学気相成長法、ゲート絶縁膜

フレキシブルデバイスに用いる薄膜トランジスタではプラスチック基板上にゲート絶縁膜を形成する必要がある. 我々は大気圧プラズマCVD法を用いた低温かつ高速なSiOxゲート絶縁膜の形成技術の開発を進めている．今回，成膜時の基板温度とプラズマ中O₂濃度が膜構造の特性に及ぼす影響を検討した．基板温度が120 ºC，酸素流量が50 sccmの時，緻密性及び電気的特性の両方が最も優れたSiOx薄膜が得られた.