2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[7p-A402-7~23] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2017年9月7日(木) 15:00 〜 19:30 A402 (402+403)

井上 泰志(千葉工大)、大津 康徳(佐賀大)

18:30 〜 18:45

[7p-A402-20] 電子励起高密度ラジカル供給によるダイヤモンド成長

金 載浩1、山田 英明1、榊田 創1 (1.産総研)

キーワード:ダイヤモンド、プラズマCVD、エピタキシャル成長

本研究では、マイクロストリップ線路を用いたライン状プラズマジェットを用いて、ダイヤモンドの大面積・高品質かつ高効率なエピタキシャル成長法の開発を行っている。本講演では、新規のダイヤモンド結晶成長法の開発背景と、最近行ったダイヤモンド結晶成長の検証実験の結果について報告する。