[7p-A402-7~23] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[7p-A402-9] ﾌﾟﾗｽﾞﾏ化学気相成長(PE-CVD)方式によるGaN結晶成長

〇谷出 敦^1,3、河野 元宏^1,3、高辻 茂¹、堀越 章^1,3、中村 昭平¹、木瀬 一夫¹、灘原 壮一¹、西川 正純²、江部 明憲²、石川 健治³、堀 勝³ (1.(株)SCREENﾎｰﾙﾃﾞｨﾝｸﾞｽ、2.(株)EMD、3.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、化学気相成長

窒化ガリウム(GaN)を低コストで成膜するため、塩素を用いたﾌﾟﾗｽﾞﾏ化学気相成長(PE-CVD)方式による成長法を研究開発しています。講演ではその成膜結果について紹介すると共に、生じている現象について議論します。