The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.2 Graphene

[7p-C16-1~18] 17.2 Graphene

Thu. Sep 7, 2017 1:45 PM - 7:00 PM C16 (Training Room 1)

Hiroyuki Kageshima(Shimane Univ.), Tai-ichi Otsuji(Tohoku Univ.)

6:30 PM - 6:45 PM

[7p-C16-17] In-situ observation of effect of oxygen annealing on nucleation in CVD graphene growth

Takanobu Taira1, Seiji Obata2, Koichiro Saiki1,2 (1.Sch. of Sci., The Univ. of Tokyo, 2.Grad. Sch. of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo)

Keywords:graphene, CVD, oxygen annealing

大面積の単結晶グラフェンの作製を目的とした、Cu基板上のCVDではグラフェン核密度の低減が必要であり、酸素アニールはそのための効果的な前処理手法であると報告されている。本研究では、グラフェン成長に加えて酸素アニール過程を熱放射光学顕微法でin-situ観察し、核発生に与える影響を評価した。結果、熱放射像において酸素アニール中に輝点が大量に発生し、一部の輝点からの核発生が観察された。これらの相関について議論する。