[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [7p-C17-3] Investigation of α-Ga₂O₃ Growth on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy

〇Michitaka Shimokawa¹, Yohei Sawada¹, Keita Konishi¹, Hisashi Murakami^1,2, Bo Monemar³, Yoshinao Kumagai^1,2 (1.TUAT, 2.TUAT GIR, 3.Linkoping Univ.)

Keywords:alpha gallium oxide, halide vapor phase epitaxy

酸化ガリウムとこれに関連したIII族セスキ酸化物半導体結晶群は、パワーデバイスや深紫外受光素子等の新規材料として非常に魅力的な結晶であり、近年注目を集めている。III族セスキ酸化物でバンドギャップ変調を行うためには、混晶化が必須である。そこで我々は、準安定相混晶α-(Al_xGa_yIn_1-x-y)₂O₃の成長方法の確立を目指し、その要素となるHVPE法によるα-Ga₂O₃成長を成長温度に着目して試みたので、報告する。