[7p-C17-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[7p-C17-5] ε-Ga₂O₃ epitaxial growth on GaN templates using gallium chloride precursor by mist chemical vapor deposition

〇(M1)Shota Morimoto¹, Daisuke Tahara¹, Nobutaka Miyauchi¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:gallium oxide, mist CVD, wide bandgap semiconductor

本研究ではε-Ga₂O₃に着目し、ミストCVD法においてGa₂O₃成長の原料として従来から用いられてきたGa(Acac)₃と新たにGaCl₃を原料として用いて、GaNテンプレート上にε-Ga₂O₃薄膜成長を行った。塩化物原料を用いることで、ε-Ga₂O₃の結晶性を向上させることに成功した。また温度依存性の検討を行い、成長温度850℃以上においてはGa₂O₃の再安定相であるβ相の成長が確認された。