2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月7日(木) 13:45 〜 18:00 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)、阿部 友紀(鳥取大)

14:45 〜 15:00

[7p-C17-5] ミストCVD法による塩化物原料を用いたGaNテンプレート上へのε-Ga2O3薄膜成長

〇(M1)森本 尚太1、田原 大祐1、宮内 信宇1、西中 浩之1、吉本 昌広1 (1.京工繊大)

キーワード:酸化ガリウム、ミストCVD、ワイドバンドギャップ半導体

本研究ではε-Ga2O3に着目し、ミストCVD法においてGa2O3成長の原料として従来から用いられてきたGa(Acac)3と新たにGaCl3を原料として用いて、GaNテンプレート上にε-Ga2O3薄膜成長を行った。塩化物原料を用いることで、ε-Ga2O3の結晶性を向上させることに成功した。また温度依存性の検討を行い、成長温度850℃以上においてはGa2O3の再安定相であるβ相の成長が確認された。