[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[7p-C17-5] ミストCVD法による塩化物原料を用いたGaNテンプレート上へのε-Ga₂O₃薄膜成長

〇(M1)森本 尚太¹、田原 大祐¹、宮内 信宇¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、ワイドバンドギャップ半導体

本研究ではε-Ga₂O₃に着目し、ミストCVD法においてGa₂O₃成長の原料として従来から用いられてきたGa(Acac)₃と新たにGaCl₃を原料として用いて、GaNテンプレート上にε-Ga₂O₃薄膜成長を行った。塩化物原料を用いることで、ε-Ga₂O₃の結晶性を向上させることに成功した。また温度依存性の検討を行い、成長温度850℃以上においてはGa₂O₃の再安定相であるβ相の成長が確認された。