[7p-C17-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [7p-C17-6] β-Ga₂O₃薄膜のレーザー励起室温固相エピタキシーに与えるサファイア基板上バッファ層の効果

〇中村 稀星¹、森田 公之¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産総研)

キーワード：β-Ga2O3、エピタキシャル薄膜、レーザーアニール

我々はこれまでに、酸化ニッケル(NiO)バッファ層の導入、エキシマレーザーアニーリング(ELA)などの手法により、表面平坦なβ型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)の室温エピタキシープロセスを見出してきた。一方、ELAを用いたバッファ層上におけるβ-Ga₂O₃の固相エピタキシー過程を明らかにすることは配向性制御やデバイス構造の形成において重要である。本研究ではバッファ層の組成や結晶構造がβ-Ga₂O₃の室温ELA結晶化プロセスに及ぼす影響を検討した。