[7p-C18-1~11] ＩＶ族系半導体の製膜と低温結晶化（固相結晶化を中心に）

[7p-C18-2] ＣＶＤ法により形成したシリコン薄膜の固相結晶化と電気的特性

〇水島 一郎¹ (1.東芝デバイス＆ストレージ)

キーワード：固相結晶化、固相成長、多結晶シリコン

ＣＶＤ法で形成したシリコン薄膜の固相結晶化現象により、横方向固相成長によるＳＯＩ構造の形成や、多結晶シリコンの大粒径化が可能である。素子サイズがｎｍのオーダーに達したことで、固相結晶化層のデバイス特性への影響も定量的に評価できるようになってきている。本報告では、Ⅳ族系材料の結晶成長技術の発展に向け、最も基本的な現象と言えるシリコン薄膜の固相結晶化技術とその電気的特性について紹介する。