[7p-C18-1~11] ＩＶ族系半導体の製膜と低温結晶化（固相結晶化を中心に）

[7p-C18-6] FLA結晶化におけるa-Ge膜の光学的バンドギャップの効果

〇(M2)吉岡 尚輝¹、部家 彰¹、松尾 直人¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：半導体、固相結晶化

本研究では光学的バンドギャップを考慮し円柱状a-Ge膜のアイランド直径とFLA結晶化により作製した多結晶Ge(poly-Ge)膜の結晶化機構を検討した。