[7p-C18-1~11] Film Formation and Low Temperature of IV Element Semiconductor

[7p-C18-8] n⁺p junction Ge diode fabricated by thermal diffusion from spin-on-glass

〇WENCHANG YEH¹, HONO SHINTARO¹, TOMOHIRO NAKAMURA¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:Germanium, diode, pn junction

高性能なGe 光起電力デバイスを実現するためには、低欠陥なn⁺p接合形成が重要となる。Spin On Glass（SOG）を用いてリンを熱拡散してn⁺p接合を形成し、CF₄ドライエッチングとH₂O₂ウェットエッチングによるメサ構造形成方法、及びスパッタSiO₂成膜とFGAによるパシベーション方法を実験的に比較した。ウェットエッチング法とFGAアニールの組合せによりオフ電流8.5×10^-4Acm^-2(@₋1V)、Ion/Ioff=10800、理想因子1.09の良好な特性が得られた。