[7p-C18-1~11] ＩＶ族系半導体の製膜と低温結晶化（固相結晶化を中心に）

[7p-C18-8] リン含有スピンオングラスからの熱拡散により作製したn⁺p接合Geダイオード

〇葉 文昌¹、法野 真太郎¹、中村 友洋¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：ゲルマニウム、ダイオード、pn接合

高性能なGe 光起電力デバイスを実現するためには、低欠陥なn⁺p接合形成が重要となる。Spin On Glass（SOG）を用いてリンを熱拡散してn⁺p接合を形成し、CF₄ドライエッチングとH₂O₂ウェットエッチングによるメサ構造形成方法、及びスパッタSiO₂成膜とFGAによるパシベーション方法を実験的に比較した。ウェットエッチング法とFGAアニールの組合せによりオフ電流8.5×10^-4Acm^-2(@₋1V)、Ion/Ioff=10800、理想因子1.09の良好な特性が得られた。