The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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8 Plasma Electronics » 8.1 Plasma production and control

[7p-PA3-1~8] 8.1 Plasma production and control

Thu. Sep 7, 2017 1:30 PM - 3:30 PM PA3 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[7p-PA3-5] Memory Effect on Extraction of an Aluminum-Nitride Ion Beam from a Magnetron Sputter type Ion Source

Kentaro Yoshioka1, Takahiro Kenmotsu2, Motoi Wada1 (1.Sci. Eng. , Doshisha Univ., 2.Med. Sci. , Doshisha Univ.)

Keywords:sputtering, reactive plasma, ion beam

反応性スパッタリングプロセスにおいて,イオン源内壁の状態変化は運転履歴の影響を受けるため,これを明らかにするためには集中した長時間の調査が必要となる.本研究では,反応性スパッタによる窒化アルミニウム生成(AlN)を対象として,RF駆動型マグネトロンスパッタ型イオン源を使用した.放電時間の経過に伴い,イオン源内部はAlN膜で覆われ,イオンビーム電流量やプラズマの発光スペクトルへの影響が観測された.