[7p-PA3-1~8] 8.1 プラズマ生成・制御

△ [7p-PA3-5] マグネトロンスパッタ型イオン源から引き出される窒化アルミニウムイオンへのメモリー効果

〇吉岡 健太郎¹、剣持 貴弘²、和田 元¹ (1.同志社大理工、2.同志社大生命医科)

キーワード：スパッタリング、反応性プラズマ、イオンビーム

反応性スパッタリングプロセスにおいて，イオン源内壁の状態変化は運転履歴の影響を受けるため，これを明らかにするためには集中した長時間の調査が必要となる．本研究では，反応性スパッタによる窒化アルミニウム生成（AlN）を対象として，RF駆動型マグネトロンスパッタ型イオン源を使用した．放電時間の経過に伴い，イオン源内部はAlN膜で覆われ，イオンビーム電流量やプラズマの発光スペクトルへの影響が観測された．