[7p-PB6-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [7p-PB6-8] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-MOSFETの評価

〇(M1C)内田 悠貴¹、中島 瑞貴¹、山本 秀和¹、佐藤 宣夫¹ (1.千葉工大工)

キーワード：多機能走査型プローブ顕微鏡、SiC、微分容量像

我々は、SiCデバイスの多機能走査型プローブ顕微鏡による評価を行っている。
今回は、SiC-MOSFETの評価を行った。
評価の内容としては、日立ハイテク社製-原子間力顕微鏡AFM5300を用いた。
装置に、同時に同一箇所の表面電位像と微分容量像が測定できるように外部に発信器と測定回路を接続している。