[7p-PB7-1~56] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[7p-PB7-47] マイクロマグネティックシミュレーションによる垂直20nm-MTJの周辺ダメージ解析

〇吉田 親子¹、田中 智大¹、安宅 正¹、藤崎 淳¹、清水 香壱¹、古屋 篤史¹、上原 裕二¹、大島 弘敬² (1.富士通、2.富士通研)

キーワード：マイクロマグネティックシミュレーション、ダメージ層、エネルギー障壁

垂直20nm-MTJの周辺劣化のエネルギー障壁(Δ)への影響をマイクロマグネティック・シミュレーションにストリング法を適用して調べた。Δは保持力(H_c)変化に対応して変化し、異方性磁界のみが劣化する場合に大きく減少するのに対して、飽和磁界のみが劣化する場合は、大きな変化がないことがわかった。実験で観察される微細MTJの保持力減少は、異方性磁界の減少に対応している可能性がある。