[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [7p-S22-10] Si基板上に作製したInAlN系MIS-HEMTのデバイス特性

〇吉田 智洋¹、山下 良美²、眞壁 勇夫¹、渡邊 一世²、笠松 章史²、中田 健¹、井上 和孝¹ (1.住友電工、2.情報通信研究機構)

キーワード：HEMT、InAlN、ミリ波

Si基板上にInAlN系MIS-HEMTを作製・評価した。本デバイスは、InAlN系デバイスの課題の一つであるゲートリーク電流を抑制しながら、f_T = 160 GHz、f_max = 210 GHzのミリ波帯応用可能な高周波性能を示している。以上の結果を報告する。