Contact resistivity of vertical trench GaN-MOSFET with Si-implanted source region

Norifumi Takashima; Masataka Sasada; Joel Asubar; Hirokuni Tokuda; Masaaki Kuzuhara

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[7p-S22-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 7, 2017 1:30 PM - 5:15 PM S22 (Palace B)

Kenji Shiojima(Univ. of Fukui), Kozo Makiyama(Fujitsu Lab.)

2:00 PM - 2:15 PM

△ [7p-S22-3] Contact resistivity of vertical trench GaN-MOSFET with Si-implanted source region

〇Norifumi Takashima¹, Masataka Sasada¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.Univ. Fukui)

Keywords:GaN, MOSFET, ion-implantation

n+-GaNソース領域上にTi/Al/Ti/Auを用いて形成したn型オーミック接触と、p-GaNチャネル領域上にNi/Au(およびPd/Au)を用いて形成したp型オーミック接触についてそれぞれ接触抵抗率を評価した。p-GaNチャネル層に対し接触抵抗率9x10^-4 Wcm², イオン注入n-GaN表面層に対し接触抵抗率9x10^-6 Wcm²の良好なオーミック接触が得られることが確認された。