[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-5] ノーマリオフ型GaN MIS-HFETにおけるバイアスアニールの効果

〇南條 拓真¹、林田 哲郎¹、小山 英寿²、今井 章文¹、古川 彰彦³、綿引 達郎¹、山向 幹雄¹ (1.三菱電機先端総研、2.三菱電機波光電、3.三菱電機パワ電)

キーワード：窒化物半導体、パワーデバイス、バイアスアニール

エッチングプロセスを用いないシンプルなプレーナー構造のノーマリオフ型GaN MIS-HFETにバイアスアニールを適用することによって、従来プロセスと比較して、オン抵抗が半減し、0.7A/mmを超えるドレイン電流が得られた。