[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-6] Mgイオン注入GaN層上に形成したノーマリーオフMOSFETの特性

〇高島 信也¹、上野 勝典¹、田中 亮¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機、2.山梨大)

キーワード：GaN、MOSFET、イオン注入

[Mg] 1E18cm^-3注入GaN層上に形成した横型MOSFETの特性を報告する。SiO₂をゲート絶縁膜に用い、しきい値が約10VのノーマリーオフMOSFET動作が確認された。ドレイン電流はMg活性化温度を上げるに従い増加し、1400℃活性化処理層上で電界効果移動度は約50cm²/Vsが得られた。