[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [8a-A411-3] 赤外パルスレーザ照射によるSiO₂/Si界面準位形成

〇野村 啓太^1,2、井辻 宏章^1,2、小林 大輔^1,2、廣瀬 和之^1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研)

キーワード：半導体、放射線、界面準位