[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [8a-A411-7] Ge単結晶の直接通電加熱による低温変形およびレンズ成形

〇阪本 大樹¹、下間 靖彦¹、坂倉 政明²、三浦 清貴¹、八戸 啓³ (1.京大院工、2.次世代レーザープロセッシング技術研究組合、3.株式会社プラウド)

キーワード：半導体、ゲルマニウム

我々はチョクラルスキー法で作製したシリコン単結晶をパルス通電加熱（SPS）法により加圧・加熱処理することで、格子間酸素に由来した9 μm近傍の吸収を極短時間で大幅に低減させることに成功した。本研究では、Siと同族半導体であるGe単結晶を研究対象として、HP法とSPS法による処理後の赤外域における透過率及び微細構造を評価した。また、車載カメラのレンズなどへの応用を見据えてレンズ状に加工した時の光学特性を確かめた。