[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [8a-A411-8] In-situプロセスによるHf系MONOS型不揮発性メモリの形成

〇(DC)工藤 聡也¹、Mailig R.M.D.¹、石松 慎¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：不揮発性メモリ、シリコン、In-situプロセス

前回、我々はSi(100)基板をAr/4%H₂雰囲気中1050°Cで熱処理することによりSi基板表面の原子レベル平坦化を行い、Hf系MONOS構造のメモリ特性への効果を報告した。今回、in-situでHfNゲート電極を形成することによる、Hf系MONOS型不揮発性メモリデバイスの電気特性向上について検討したので報告する。