The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[8a-A414-1~8] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

Fri. Sep 8, 2017 9:30 AM - 11:30 AM A414 (414)

Takashi Kunimoto(Tokushima Bunri Univ.)

11:00 AM - 11:15 AM

[8a-A414-7] Molecular Beam Epitaxy of ErxY6-xWO12 (x=6) Films on Silicon

Hiroo Omi1,2, Takehiko Tawara1,2, Hideki Yamamoto1 (1.NTT BRL, 2.NTT NPC)

Keywords:Erbium, MBE

前回我々はこのYSO単結晶をしのぐ良質な量子光学結晶を開発することを目的として、Y-Si-O系に含まれる元素Siをそれよりも小さな核磁気モーメントをもつ元素Wで置き換えたY-W-O系に注目し、その中でも特に電子スピンを持たないW6+イオンを含むY6WO12(立方晶)結晶をSi基板上にMBE成長することを試みた。今回はこの非磁性Y6WO12薄膜中にErを添加することを目指し、その第一段階として、Er6WO12をSi(111)上にMBE成長することを試みた。