[8a-C18-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [8a-C18-1] 縦型TFETの性能に及ぼすバラメ-タの影響の評価

〇蒋 いくよう¹、森 義暁¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹、マッリク アブヒジット² (1.関西大、2.カルカッタ大)

キーワード：縦型TFET、デバイス　モデル、シミュレーション

高性能が見込まれる縦型TFET による集積回路をシミュレーションためにはデバイスモデルが不可欠である。本報告では、それに向けて縦型TFETの主要構造パラメータとId-Vg特性の関係の考察結果を報告する。