[8a-C18-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [8a-C18-2] 縦型tunnel FETにおけるTAT 電流の効果に関する考察

〇森 義暁¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹、マリック アブヒジット² (1.関西大、2.カルカッタ大)

キーワード：トンネルFET、シミュレーション、トラップアシスティッドトンネリング

待機時消費電力削減とスイッチ効率向上のため、急峻な立ち上がり動作を可能とするTFETが注目されている。本報告では、デバイスシミュレータを用いて縦型TFETにおけるTAT電流と動作特性の関係を実験結果と比較して考察する。