[8a-C21-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[8a-C21-1] Depth profiles for different atomic arrangements of As doped in Si crystal

〇(M1)Tatsuhiro Ogawa¹, Kotarou Natori¹, Takuya Hoshii¹, Masashi Nakatake², Yoshio Watanabe², Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech, 2.Aichi Synchrotron Radiation Center)

Keywords:Photoelectron spectroscopy of impurities, Electrical activity

​ Si中の不純物元素やクラスター構造を観察することは, 半導体デバイスの特性改善への知見となる. 光電子ホログラフィー技術による占有構造の特徴抽出の結果から, Si中のAsは3種類の化学結合状態が存在していることが示されている.今回, 入射光子エネルギーを変化させて軟X線光電子分光測定を行った結果,これらの3状態のAsがSi結晶の極表面付近で顕著に異なる深さ方向分布を持っていることが明らかとなった.