[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [8a-C21-4] 高濃度 Sb ドーピング Ge_1−xSn_xエピタキシャル層の熱的安定性

〇Jeon Jihee¹、鈴木 陽洋^1,2、髙橋 恒太^1,2、中塚 理^1,3、財満 鎭明³ (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)

キーワード：半導体、GeSn、高濃度n型ドーピング