[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [8p-A301-7] Si基板上GaN成長におけるAlN中間層を用いた応力制御メカニズム

〇中原 拓也¹、鈴木 道洋¹、出浦 桃子¹、百瀬 健¹、杉山 正和¹、中野 義昭¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：Si基板上GaN成長、AlN中間層、応力制御メカニズム

Si基板上のGaN成長において、AlN中間層により降温時の基板反りを緩和する手法が提案されている。本研究ではAlN中間層の成長温度が、表面平坦性・格子緩和度・不純物混入およびGaN層の圧縮応力に与える影響を調べた。高温成長ほど表面平坦性は良好だが、格子緩和度は低減しGa混入も増加した。またGaN層に強い圧縮応力が印加された。すなわち、AlN中間層の表面平坦性がGaN層の圧縮応力に大きく影響する。