The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[8p-A411-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Fri. Sep 8, 2017 1:15 PM - 4:00 PM A411 (411)

Koichiro Saga(Sony)

1:15 PM - 1:30 PM

[8p-A411-1] Influence of VPT-Induced Trace Particles on Sensitivity in TXRF Measurements

Rikiichi Ohno1, Koichiro Saga1 (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:TXRF, Metallic contamination, Metal impurities

TXRF測定前にフッ酸によるVapor phase treatment (VPT)を行うと、TXRFの感度が向上することが知られているが、今回、VPT条件を検討し、感度向上に及ぼす、一定高さ以上の乾燥痕の粒子の体積の影響と元素依存性を明らかにし、乾燥痕の制御と粒子への金属原子の取り込みが重要であることを明らかにした。