2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8p-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年9月8日(金) 13:15 〜 16:00 A411 (411)

嵯峨 幸一郎(ソニー)

13:15 〜 13:30

[8p-A411-1] TXRF感度向上に及ぼすVPT乾燥痕の影響

大野 力一1、嵯峨 幸一郎1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード:全反射蛍光X線、金属汚染、金属不純物

TXRF測定前にフッ酸によるVapor phase treatment (VPT)を行うと、TXRFの感度が向上することが知られているが、今回、VPT条件を検討し、感度向上に及ぼす、一定高さ以上の乾燥痕の粒子の体積の影響と元素依存性を明らかにし、乾燥痕の制御と粒子への金属原子の取り込みが重要であることを明らかにした。