[8p-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8p-A411-2] QSSPC測定によるシリコン基板のバルクライフタイムと表面再結合速度の評価

〇中山 明¹、吉川 博道¹、豊倉 祥太¹、雨堤 耕史¹ (1.京セラ)

キーワード：バルクライフタイム、表面再結合速度、評価

Siベアウエハにおける少数キャリアのバルクライフタイムτb と表面再結合速度Sの評価は重要な課題であるが、その評価方法は充分に確立されていない。本研究では、trapping効果を補正してSiベアウエハのτbとSを求めるため、Xeフラッシュランプ光源にショートパス、ロングパスフィルタを付加し、比較的広帯域な短波側および長波側照射スペクトルを用いたQSSPC測定からτbとSを評価する方法を検討した。