2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8p-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年9月8日(金) 13:15 〜 16:00 A411 (411)

嵯峨 幸一郎(ソニー)

13:45 〜 14:00

[8p-A411-3] 水素終端シリコンの表面再結合変化に与えるクリーンルーム雰囲気の影響
μ-PCDライフタイム測定からの観察

荒木 延恵1,2、日髙 洋美1、宮下 守也1、鵜殿 治彦2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.茨城大)

キーワード:シリコンウェーハ表面、経時変化