[8p-A411-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[8p-A411-6] Behavior analysis of Si etching process with the HF/HNO3 mixture by single spin wafer processor (3)

〇Takashi Oinoue¹, Suguru Saito², Atsushi Okuyama², Yoshiya Hagimoto², Hayato Iwamoto² (1.Sony Semiconductor Manufacturing, 2.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:single spin, HF/HNO3, Si etch

これまでに、枚葉スピン方式において、フッ硝酸濃度に依存して基板面内のエッチング分布が大きく変わることを報告した。また、濃度に依存した変化が大きい基板中心部について、表面状態をXPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) で解析し、基板中心部のエッチング挙動は表面状態に起因することを示唆する結果を得た。今回、ウェハ面内のより詳細なXPS解析結果をもとに基板全面のエッチング挙動についてメカニズム考察を行ったので報告する。