[8p-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8p-A411-6] 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析（３）

〇大井上 昂志¹、齋藤 卓²、奥山 敦²、萩本 賢哉²、岩元 勇人² (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：枚葉、フッ硝酸、Siエッチ

これまでに、枚葉スピン方式において、フッ硝酸濃度に依存して基板面内のエッチング分布が大きく変わることを報告した。また、濃度に依存した変化が大きい基板中心部について、表面状態をXPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) で解析し、基板中心部のエッチング挙動は表面状態に起因することを示唆する結果を得た。今回、ウェハ面内のより詳細なXPS解析結果をもとに基板全面のエッチング挙動についてメカニズム考察を行ったので報告する。