[8p-PA2-1~19] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[8p-PA2-6] Multi-step SOI substrate fabricated by position-selectively wet etching with inkjet mask pattern

〇(M2)Mitsuki Kuwabara¹, Natsumi Tanaka¹, Yasushi Takahashi¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:SOI, inkjet, wet etching

LSIやシリコンフォトニクス分野において、SOI基板のナノメートル精度での加工技術は重要である。我々は前回、ウェットエッチングと光干渉膜厚計測を組み合わせたナノメートル精度薄膜化手法を開発し、さらに、保護膜を塗布した位置選択的エッチングを実証した。今回はインクジェットを用いて数十µmの精度で保護膜を塗布し、位置選択的エッチングを行うことによって、複数の膜厚を持つSOI基板の作製に成功したので報告する。