17:30 〜 17:45 [16p-412-17] InGaSiO/InGaZnO/InGaSiOダブルヘテロチャネルによる酸化物半導体TFTの水素アニール耐性改善と高移動度化の両立 〇斉藤 信美1、三浦 健太郎1、上田 知正1、手塚 勉1、池田 圭司1 (1.東芝 研究開発センター)