14:30 〜 14:45 △ [16p-412-6] ソース不純物濃度がGaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの電気特性に与える影響 〇(D)後藤 高寛1、満原 学2、星 拓也2、杉山 弘樹2、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工、2.NTT)