16:00 〜 16:15 △ [15p-315-11] N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減 〇プラスラットスック キャッティウット1、三浦 輝紀1、田中 真二1、谷川 智之1、木村 健司1、窪谷 茂幸1、末光 哲也2、松岡 隆志1 (1.東北大金研、2.東北大通研)