09:30 〜 11:30 [16a-P4-18] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の温度依存性 〇木村 隼人1、山岡 優哉1,2、各務 憲1、江川 孝志1 (1.名工大工、2.大陽日酸)