16:30 〜 16:45 ▼ [16p-412-13] Enhancement of Mobility in UTB-GeOI p-MOSFETs Realized by Si-passivated Back Interface Control 〇(PC)張 文馨1、入沢 寿史1、石井 裕之1、服部 浩之1、高木 秀樹1、倉島 優一1、前田 辰郎1 (1.産総研)