16:45 〜 17:00 △ [16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性 〇大澤 一斗1、野口 真司1、祢津 誠晃1、木瀬 信和1、宮本 恭幸1 (1.東工大)