[16p-413-1~11] 13.3 Insulator technology

△ [16p-413-11] Dependence of the Mobility on Deposition Temperature and Al₂O₃ Thickness in MOSFETs with HfO₂/Al₂O₃/InGaAs Gate Stacks after H₂ Annealing

〇Kazuto Ohsawa¹, Shinji Noguchi¹, Seiko Netsu¹, Nobukazu Kise¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:electron mobility, high-k dielectric, InGaAs

N₂プラズマ/TMA処理、低温成膜を用いたHfO₂/Al₂O₃/InGaAs構造を持つMOSFETにH₂アニールを行い移動度を測定した。120°C成膜HfO₂/2cycle Al₂O₃/InGaAs構造では移動度ピークが30%程向上したが300°C成膜では移動度ピークが劣化した。またAl₂O₃膜厚を変えた120°C成膜HfO₂/Al₂O₃/InGaAsの移動度へのH₂アニールの影響を調べた。