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[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 413 (413)

渡邉孝信(早大)、小林清輝(東海大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-413-1] Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

〇名倉拓哉¹、川内伸悟²、長川健太²、白川裕規²、洗平昌晃^2,3,7、影島博之^4,7、遠藤哲郎^5,6,7、白石賢二^2,3,7 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.島根大院総合理工、5.東北大院工、6.国際集積セ、7.JST-ACCEL)

09:15 〜 09:30

[16a-413-2] 縦型 BC-MOSFET の Si 熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究

〇川内伸悟¹、白川裕規¹、長川健太¹、洗平昌晃^1,2,6、影島博之^3,6、遠藤哲郎^4,5,6、白石賢二^1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)

09:30 〜 09:45

[16a-413-3] Amorphous-SiO₂中の金属原子が示す化学傾向

〇宮島岳史¹、白川裕規²、洗平昌晃^3,2、白石賢二^3,2 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)

09:45 〜 10:00

[16a-413-4] 硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析－電位変化および化学結合状態評価－

〇大田晃生¹、村上秀樹²、池田弥央¹、牧原克典¹、池永英司³、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.久留米高専、3.SPring-8)

10:00 〜 10:15

[16a-413-5] 陽極酸化膜を有するMOS構造におけるアドミタンス特性

〇(M1)中田友緒¹、張祺¹、呉研¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

10:15 〜 10:30

[16a-413-6] MIMキャパシタの電荷放出特性評価手法

〇小澤航大¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大)

10:45 〜 11:00

△ [16a-413-7] O₃処理を施した原子層堆積Al₂O₃膜の電気伝導特性

〇(B)大久保智¹、松村大輔¹、平岩篤^2,4、川原田洋^1,2,3 (1.早大理工、2.早大ﾅﾉ･ﾗｲﾌ、3.早大材研、4.名大未来研)

11:00 〜 11:15

[16a-413-8] 酸素濃度0.1ppmの新フラッシュランプアニール(FLA)装置によるHigh-k膜の薄膜化

〇上田晃頌¹、河原崎光¹、古川雅志¹、青山敬幸¹、加藤慎一¹、小林一平¹ (1.SCREEN)

11:15 〜 11:30

[16a-413-9] High-k/SiO₂界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察

〇堀田育志¹、佐伯郁弥¹、西慎太郎¹、伊藤明²、中西英俊²、吉田晴彦¹、新船幸二¹、佐藤真一¹、斗内政吉³、川山巌³ (1.兵県大工、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)

11:30 〜 11:45

[16a-413-10] XPSによるHfO₂の電子親和力と界面ダイポールの定量

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

11:45 〜 12:00

△ [16a-413-11] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討

〇(M1C)鎌田啓伸¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

12:00 〜 12:15

▼ [16a-413-12] Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO₂ dielectric interface - MgO/Al₂O₃

〇(D)Fei Jiayang¹、喜多浩之¹ (1.東大)

セッション情報

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6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

[16a-413-1] Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

[16a-413-2] 縦型 BC-MOSFET の Si 熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究

[16a-413-3] Amorphous-SiO₂中の金属原子が示す化学傾向

[16a-413-4] 硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析－電位変化および化学結合状態評価－

[16a-413-5] 陽極酸化膜を有するMOS構造におけるアドミタンス特性

[16a-413-6] MIMキャパシタの電荷放出特性評価手法

△ [16a-413-7] O₃処理を施した原子層堆積Al₂O₃膜の電気伝導特性

[16a-413-8] 酸素濃度0.1ppmの新フラッシュランプアニール(FLA)装置によるHigh-k膜の薄膜化

[16a-413-9] High-k/SiO₂界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察

[16a-413-10] XPSによるHfO₂の電子親和力と界面ダイポールの定量

△ [16a-413-11] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討

▼ [16a-413-12] Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO₂ dielectric interface - MgO/Al₂O₃

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6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

△ [16a-413-7] O3処理を施した原子層堆積Al2O3膜の電気伝導特性

△ [16a-413-11] Al2O3/SiO2界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討

▼ [16a-413-12] Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO2 dielectric interface - MgO/Al2O3

認証

△ [16a-413-7] O₃処理を施した原子層堆積Al₂O₃膜の電気伝導特性

△ [16a-413-11] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討

▼ [16a-413-12] Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO₂ dielectric interface - MgO/Al₂O₃