[14a-213-1~12] 6.4 Thin films and New materials

[14a-213-7] Heteroepitaxial Growth of ScN Films Grown on R-sapphire Substrates

〇Takeshi Ohgaki¹, Isao Sakaguchi¹, Naoki Ohashi¹, Hajime Haneda¹ (1.National Institute for Materials Science)

Keywords:semiconductor, heteroepitaxial growth, electric property

ScNは、岩塩型結晶構造のIIIa族窒化物半導体であり、高い電子移動度を有する材料であると期待されている。(100)配向ScN薄膜の成長用基板としては、同じ岩塩型構造のMgO(100)や、コランダム型構造のサファイアr面が用いられ、高移動度を有する薄膜は、サファイアr面基板上へのヘテロエピタキシャル成長により報告されている。しかしながら、ScNとサファイアr面とのヘテロ構造については、その詳細が明らかにされていない。本研究では、サファイアr面上にScN薄膜をヘテロ成長させ、そのヘテロ構造について評価した。