[14a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14a-304-1] 界面エネルギーの(100)配向CLC結晶成長への影響

〇佐々木 伸夫¹、Arif Muhammad²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：レーザー結晶化、{100} 面方位制御、固液界面

CLCでa-Si薄膜を結晶化する場合、結晶化膜表面の99.5%以上の面積の面方位を（100)に10度以内で制御できるようになった。Cap-SiO₂有と無での固液界面傾斜への影響を同一温度分布で検討した。スキャン速度1.5 cm/s、レーザーパワー2.2 W, で532 nm CWレーザーによるスキャンを行った結果は、Cap無で粒状結晶、Cap有でラテラル結晶だった。これから、温度分布だけでなく界面エネルギーが、固液界面の傾斜に関与していることが明らかとなった。