[14a-304-1~10] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [14a-304-2] Phosphorus doping to poly-Si thin films using XeF excimer laser irradiation in phosphoric acid solution and its electrical characteristics

〇(B)Nozomu Tanaka¹, Akira Suwa^1,2, Daisuke Nakamura¹, Taizoh Sadoh¹, Hiroshi Ikenoue^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.Department of Gigaphoton Next GLP, Kyushu Univ.)

Keywords:laser doping in acid solution, excimer laser annealing, low temperature poly-silicon

リン酸溶液中でXeFエキシマレーザーを低温ポリシリコン薄膜へ照射し、膜中へのリンドーピングを行なった。低温ポリシリコンはガラス基板上に成膜したアモルファスシリコンをXeFエキシマレーザーアニーリングにより作製し、その膜厚は50 nmであった。リン酸溶液中でレーザーを照射した結果、抵抗率が0.21 Ω・cmまで低下し、リンが6.7×10¹⁸ cm^-3​ドーピングされていることを確認した。