[14a-315-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-315-3] Excess carrier lifetime measurements for GaN epilayers on GaN substrates

〇(B)Takato Asada¹, Yoshihito Ichikawa¹, Kenji Ito², Kazuyoshi Tomita², Tetsuo Narita², Tetsu Kachi³, Masashi Kato¹ (1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Toyota Central R&D Labs., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, carrier lifetime measurement, photo conductivity

GaNはパワーデバイスへの応用が期待されているが、縦型デバイスとして応用されるGaN基板上のGaNホモエピ層の欠陥評価に関する報告は少ない。よって本研究ではGaN 基板上GaNホモエピ層の過剰キャリアライフタイム測定を行い、欠陥の評価を行った。