[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-3] GaN基板上GaNホモエピ層に対する過剰キャリアライフタイム評価

〇(B)浅田 貴斗¹、市川 義人¹、伊藤 健治²、冨田 一義²、成田 哲生²、加地 徹³、加藤 正史¹ (1.名工大、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：GaN、キャリアライフタイム評価、光導電性

GaNはパワーデバイスへの応用が期待されているが、縦型デバイスとして応用されるGaN基板上のGaNホモエピ層の欠陥評価に関する報告は少ない。よって本研究ではGaN 基板上GaNホモエピ層の過剰キャリアライフタイム測定を行い、欠陥の評価を行った。