[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14a-502-9] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層によるGa₂O₃の構造制御

〇神野 莉衣奈¹、内田 貴之¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム

超ワイドバンドギャップ半導体材料の1つであるGa₂O₃の構造制御に関する発表である。α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層を導入することで、成長温度によりα-Ga₂O₃とε-Ga₂O₃の両方の構造の制御に成功した。